<code id="gzpjp"><s id="gzpjp"></s></code>

          <big id="gzpjp"></big>
        1. <big id="gzpjp"></big>
        2. <th id="gzpjp"><option id="gzpjp"></option></th>
        3. <th id="gzpjp"></th>
        4. <th id="gzpjp"><video id="gzpjp"></video></th>
          <pre id="gzpjp"><small id="gzpjp"><p id="gzpjp"></p></small></pre>
          <center id="gzpjp"><small id="gzpjp"><p id="gzpjp"></p></small></center>
          1. <tr id="gzpjp"></tr>
            1. <code id="gzpjp"></code>
              <th id="gzpjp"><option id="gzpjp"></option></th>

                <code id="gzpjp"><small id="gzpjp"></small></code>
                <code id="gzpjp"><small id="gzpjp"><track id="gzpjp"></track></small></code>

                技術支持

                TECH SUPPORT

                • Q上海瞻芯電子的SiC MOSFET是否有正負壓應力極限的數據?

                  A

                      瞻芯電子的SiC MOSFET柵極電壓規范(+20V/-5V)是嚴格根據JEDEC來做的認證,保證產品在室溫下工作壽命不小于10年。對于超出柵極電壓規范的應用情況,主要有以下兩個方面的考量。

                      第一,柵極本身的壽命模型主要由SiO2的TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown 時間依賴的介質擊穿)模型來確定,已經有大量的數據表明SiC上生長的SiO2介質層的質量跟Si上生長的SiO2是一樣優良的,所以從TDDB的角度來看,20V的柵介質所能承受的更高電壓以及在該電壓下的壽命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的;瞻芯電子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2柵介質工藝和器件的壽命模型。

                      第二,SiC MOSFET跟Si MOS產品(MOSFET和IGBT)最大的差別和挑戰就在于PBTI(Positive Bias Temperature Instability正偏壓溫度不穩定性)和NBTI(Negative Bias Temperature Instability負偏壓溫度不穩定性),加正偏壓后器件Vth會增加,加負偏壓后器件Vth會減??;在JEDEC認證條件下,在柵極電壓規范內工作,器件的壽命是可以得到保證的;對于超出柵壓規范的應用壽命模型,瞻芯電子正在搭建設備并且做詳細規劃和研究;總體說來,只要正柵壓不超過25V,負柵壓不低于-10V,Duty Cycle比較小的脈沖不會對器件造成性能的不可恢復性損傷,具體的定量關系和壽命模型會在第一輪研究結束時給出。


                • Q上海瞻芯電子如何解決SiC MOSFET應用中驅動負壓的建立?這種方式是否可靠?

                  A

                   瞻芯開發了工業界首款采用8引腳封裝,集成負壓驅動的35V/4A驅動器IVCR1401D/IVCR1404DP. 在驅動器啟動后,NEG輸出被拉至GND,內部的電流源快速為負壓電容充電,負壓建立后,NEG引腳被釋放,內部的負壓調節器可將負壓調節至-3.5V以正常運行,之后,柵極驅動信號NEG在(VCC-3.5V)和-3.5之間進行切換,如下圖所示為負壓電容的負壓建立過程,1uF電容充電大約需要28us。

                   應使用超過100倍Cg電容的X7R電容,來減小負壓電容上的紋波,使負壓可靠穩定的建立運行并進行驅動。在我司的老化測試系統電路已經使用該芯片進行過驗證,在1000V/20A/125℃的運行條件下驅動SiC MOSFET,連續運行1000h后,仍然能夠穩定可靠的進行驅動。

                  1.PNG

                • Q上海瞻芯電子如何解決SiC MOSFET 應用中驅動的負壓尖峰問題?負壓尖峰產生機制是怎樣的?有什么應對方法?

                  A

                  SiC MOSFET相比于傳統的Si功率器件具有更快的開關速度,然而這種快速的暫態過程會使SiC MOSFET的開關性能對回路的寄生參數更加敏感,尤其體現在驅動波形上。

                  如下圖所示為米勒效應產生的電壓尖峰。在SiC MOSFET的半橋應用中,下管保持關斷狀態,上管關斷時,會產生較大的dv/dt,由于功率回路和驅動回路中的寄生電感,會產生一個較大的米勒電流,該電流會在驅動電阻RG上產生一個壓降,從而導致在VGS波形上出現一個負尖峰;同理,當上管導通時,也會產生較大的dv/dt,由于回路中存在的寄生電感,也會產生一個較大的米勒電流,該電流會在驅動電阻RG上產生一個壓降,從而導致在VGS波形上出現一個正尖峰。

                  5.PNG

                         米勒效應產生的電壓負尖峰              米勒效應產生的電壓正尖峰

                   為了減少驅動的負壓尖峰,有以下幾個方面的建議:

                   1) 在驅動電阻RG上并聯一個back-to-back MOS,來降低米勒效應在RG上產生的壓降,從而減小米勒尖峰電壓,如下圖中的Q1、Q2;

                  6.PNG


                   2) 將驅動芯片盡可能靠近SiC MOSFET的柵極,盡可能減小驅動回路中的寄生電感;

                   3) 在Layout上盡量減小功率回路的面積,盡可能減小功率回路和驅動回路中的共源極電感;

                   4) 在條件允許的情況下,使用TO247-4封裝的SiC MOSFET,盡可能采用Kelvin驅動以減少器件引腳所帶來的寄生電感。




                • Q上海瞻芯電子如何解決SiC MOSFET應用中的開關震蕩問題?

                  A

                   SiC MOSFET振蕩問題最關鍵的是首先要解決驅動回路振蕩問題,防止因為驅動信號振蕩而導致的振蕩。為了解決驅動回路振蕩,需要將驅動芯片盡可能靠近SiC MOSFET的柵極,盡可能減小寄生電感,減少振蕩。

                   下面兩張圖,上圖為驅動芯片離SiC MOSFET比較遠的測試波形,下圖為離的比較近的測試波形。兩圖中天藍色波形為Vgs波形,黃色為Vds波形。 左圖中米勒尖峰高達19.2V,右圖的米勒尖峰只有4.6V,改善這么大的主要原因就是驅動IC離SiC MOSFET比較近。

                  2.PNG

                  驅動IC離MOSFET比較遠的測試波形                驅動IC離MOSFET比較近的測試形

                   下面再說明一下SiC MOSFET的Layout的一些注意點,良好的Layout有助于減小振蕩。首先驅動IC盡量離SiC MOSFET越近越好,以保證驅動回路面積越小越好。其次, 高頻振蕩是由PCB 和MOSFET的雜散電感雜散電容(主要是Coss)之間的振蕩引起。如下圖中,紅色的虛線是功率回路的面積,綠色的虛線是驅動回路面積。這些面積越小則SiC MOSFET開關時的振蕩越小。

                  7.PNG

                • QSiC MOSFET驅動與Si IGBT驅動異同?SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驅動板方式驅動?

                  A

                   不能沿用。因為采用驅動板的方式,驅動回路寄生電感比較大,從而需要更大的驅動電阻來阻尼,進而導致開關速度變慢,損耗增大。如果不用更大的驅動電阻來阻尼,那么Vgs波形會導致比較大的振蕩,進而導致Vds振蕩,從而增加開關損耗。另,寄生電感比較大本身就增加了驅動回路阻抗,驅動電路的抗米勒能力減弱,導致開關速度變慢,損耗也增大。


                • QSiC MOSFET并聯中需要注意哪些事項?

                  A

                   要保證每個SiC MOSFET的驅動回路和主功率回路盡量對稱,要求驅動芯片輸出到每個SiC MOSFET的柵極距離全部一樣,每個SiC MOSFET需要單獨的Rg來增加一致性,如果并聯的MOSFET共用一個驅動電阻將會導致閾值電壓最小的那個MOSFET最先開通,同時會將其他的MOSFET的Vgs鉗位在該閾值電壓下,從而導致只是閾值電壓最小的MOSFET開通,其余所有的管子全部未開通。關斷過程也是如此,閾值電壓最高的那個MOSFET先關閉,同時將電壓鉗位在該閾值電壓下,直到該管完成關斷過程。由此可見,使用一個驅動電阻來驅動所有的MOSFET會造成比較大的開關瞬間的動態不均流。為此需要為每個MOSFET配置單獨的Rg,從而使得每個MOSFET的Vgs解耦,增強動態均流。靜態的均流特性主要靠MOSFET本身的參數一致性來實現,需要仔細挑選參數一致的MOSFET來做直接并聯。

                  4.PNG


                国产午夜精品理论片A级在线观看